ВПЛИВ ОДНОВІСНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ ТА ГІДРОСТАТИЧНОГО ТИСКУ НА ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ШАРІВ InSb - Дружинін, А. О.; Марямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Лях-Кагуй, Н. С. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2018)
Досліджено тензометричні характеристики тонких шарів антимоніду індію, як нелегованих, так і легованих із різною концентрацією домішки телуру в широкому діапазоні деформацій (ε = ± 1,3 × 10-3 відн. од.) і температур (- 180 ÷ + 100) °С. Найвищі значення коефіцієнта тензочутливості були одержані для зразків InSb n-типу провідності, легованих телуром до концентрації (4 ÷ 7) × 1016 см-3, на основі яких можуть бути створені чутливі елементи тензодатчиків. Також було вивчено вплив гідростатичного тиску до 5000 бар на тонкі шари InSb, як нелеговані, так і леговані телуром і цинком. Визначені значення коефіцієнтів гідростатичного тиску для цих шарів та їх температурні залежності в інтервалі температур (- 75 ÷ + 80) °С. Найбільша чутливість до гідростатичного тиску виявлена в зразках InSb, легованих цинком (K20°С ≈ 46). Дано рекомендації щодо застосування тонких шарів InSb як чутливих елементів датчиків тиску.