ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: 2D ЕЛЕКТРОСТАТИКА MOS І МОДЕЛЬ ВІРТУАЛЬНОГО ВИТОКУ - Кругляк, Ю. О.; Стріха, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2019)
У четвертій із серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, докладно розглянута 2D електростатика MOS. Показано, що вона погіршує характеристики транспорту електронів у польових транзисторах, збільшуючи підпороговий розкид і викликаючи ефект зниження бар’єру, зумовлений стоком (DIBL), який у свою чергу збільшує вихідну провідність і зменшує граничну напругу в короткоканальних транзисторах. Такі ефекти називають ще ефектами короткого каналу. Мірою того, як транзистори робляться дедалі мініатюрнішими, основний виклик, який постає перед схемотехніками, полягає в контролі над короткоканальними ефектами. Зазвичай для цього потрібне чисельне моделювання.