ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ І МОДЕЛЬ ПРОХОДЖЕННЯ MOSFET - Кругляк, Ю. О.; Стріха, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2020)
У сьомій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми докладно розглянули якісну картину явищ розсіяння електронів у каналі провідності нанотранзисторів. При цьому розгляді ключовим є поняття коефіцієнту проходження T(E) , який записується через середню довжину вільного пробігу щодо розсіяння назад λ (E) і довжину каналу провідності L . Узагальнена теорія електронного транспорту Ландауера – Датта – Лундстрома дозволила побудувати модель проходження MOSFET з урахуванням розсіяння електронів.