ФУНДАМЕНТАЛЬНІ МЕЖІ ДОВЖИН КАНАЛІВ ПРОВІДНОСТІ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ НА МОНОШАРАХ ДИХАЛЬКОГЕНІДІВ ПЕРЕХІДНИХ МЕТАЛІВ - Стріха, М. В.; Корж К. O. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2022)
В статті проведене моделювання меж функціональності польового транзистора з провідним каналом на основі моношару дихалькогеніду перехідного металу та з різними матеріалами витоку/стоку. Квантовомеханічну прозорість канального бар’єру розраховано з урахуванням реального вигляду потенціалу такого бар’єру. Показано, що транзистор з 4-нм каналом n-MoS2 та контактами витоку/стоку MoS2 (металічна модифікація) в області порівняно невеликих напруг на затворі й на стоку ще зберігає достатній рівень функціональності (прозорість бар’єру є меншою від ½). Натомість цей же транзистор для випадку контактів витоку/стоку на основі Pt, коли висота бар’єру Шотткі є суттєво вищою, а прозорість канального бар’єру – відповідно суттєво меншою, зберігає функціональність і для довжини каналу 2 нм в усьому реалістичному діапазоні напруг на затворі й на стоку. Аналогічний результат одержано й для транзистора з каналом p-WSe2 і контактами на основі паладію. Отримані нами оцінки підтверджують реальність створення комплементарного інвертора на основі MoS2 транзистора n-типу і WSe2 транзистора p-типу з ультракороткими довжинами каналів у 2–4 нм.