ВПЛИВ ТОВЩИНИ ПЛІВКИ ГРАФІТУ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ ТИПУ ДІОДІВ ШОТТКІ ГРАФІТ/n-Si - Курищук, С. І.; Мостовий, А. І.; Козярський, І. П.; Солован, М. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2022)
Виготовлено діоди Шотткі графіт/n-Si методом електронно-променевого випаровування графіту на підкладки кремнію n-типу провідності. Досліджено вплив товщини плівок графіту на фотоелектричні та електричні властивості даних діодів. Визначено, що виготовлені діоди Шотткі можна буде використовувати у якості фотодіодів та сонячних елементів. Також було досліджено температурні залежності шунтуючого та послідовного опорів діодів. При прямому та зворотному зміщенні були визначені домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані діоди. Також було обчислено чутливість та детективність виготовлених діодів Шотткі графіт/n-Si. Досліджувані гетеропереходи володіють яскраво вираженими діодними характеристиками з коефіцієнтом випрямлення для структури із тоншою плівкою RR ≈ 5 ·102, а для структури із товстішою плівкою RR ≈ 102.