КЕРУВАННЯ СТРУМОПЕРЕНОСОМ У ДІОДАХ ШОТТКІ ЗА ДОПОМОГОЮ КВАНТОВИХ ТОЧОК - Пелещак, Р. М.; Кулик, Н. Я.; Британ, В. Б. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2015)
Реферат Мета. В межах дрейфово-деформаційно-дифузійного підходу методом самоузгоджених граничних умов, дослідити вольт-амперну характеристику (ВАХ) поверхнево-бар’єрної структури виду Шотткі з вбудованим шаром КТ та встановити критерії на технологічні параметри поверхнево-бар’єрної структури виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок при яких вольт-амперна характеристика має S-подібний характер. Методи дослідження. Метод самоузгоджених граничних умов. Pезультати дослідження. Як видно із числових розрахунків, ВАХ низькобар’єрного (åÂ5.0≤Δ) діода Шотткі з вбудованим шаром КТ в область просторового заряду має S - подібний характер. Із збільшенням висоти бар’єру Δ до 0.9еВ на ВАХ зникає ділянка від’ємного диференційного опору, і в інтервалі напруг 0.5В-1В ВАХ має експоненційний характер. Варіювання товщини i- шару (0d0RLL−=) від A50-A150 приводить до зміни характеру ВАХ, тобто зникає струмова бістабільність S-типу. У роботі приведено результати числових розрахунків ВАХ для прямого напрямку зміщення при двох значеннях температури (Т=77К, 300К). Як видно, з графіків ВАХ, в інтервалі напруг Â52.0VÂ24.0<< значення густини струму від напруги при Т=77К є меншим ніж при Т=300К. Висновки 1. Встановлено, що вольт-амперна характеристика низькобар’єрного (åÂ5.0≤Δ) діода Шоткі з вбудованим шаром квантових точок в область просторового заряду має S-подібний характер за умови, коли шар квантових точок знаходиться на відстанях від межі контакту метал-напівпровідник порядку (10-30)0a, де 0a-період гратки напівпровідника. 2. Показано, що як із збільшенням висоти бар’єру Δ від 0,5еВ до 0,9еВ , так і відстані від металу до шару КТ (dL) від A50 до A150 на ВАХ зникає ділянка (АВ) від’ємного диференційного опору. 3. При високих потенціальних бар’єрах (0.9еВ) контактні явища домінують, і на ВАХ присутня ділянка з експоненційною залежністю від напруги (0.5В-1В), а при низьких залежність струму від напруги наближається до квадратичної (V>0.6B).