РОЛЬ ДВОФОТОННИХ ЕЛЕКТРОННИХ ПЕРЕХОДІВ У РОБОТІ КВАНТОВИХ ЛАЗЕРІВ - Ткач, М. В.; Сеті, Ю. О.; Бойко, І. В.; Паньків, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2014)
У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона на основі аналітично знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера розвинена теорія динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної наноструктури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що вклад двофотонних електронних переходів з випромінюванням електромагнітних хвиль у загальну величину динамічної провідності в оптимальних конфігураціях трибар’єрної наноструктури може досягати 40%.