ТЕНЗОЧУТЛИВІСТЬ В ∆1 – МОДЕЛІ ЗОНИ ПРОВІДНОСТІ КРИСТАЛІВ ГЕРМАНІЮ - Луньов, С. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013)
На основі теорії анізотропного розсіяння проведено розрахунки рухливості електронів та коефіцієнта тензочутливості для різної структури ∆1 – зони провідності кристалів германію, утвореної сильним одновісним або гідростатичним тиском. Показано, що для різної концентрації домішки максимальний ефект пʼєзоопору та відповідне значення коефіцієнта тензочутливості можна отримати при інверсії типу ( L1 − ∆1 ) абсолютного мінімуму, яка обумовлена одновісним тиском кристалів n-Ge вздовж кристалографічного напрямку [100]