ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР ДЛЯ РОЗРОБКИ рН-ЧУТЛИВИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ - Patskovsky, S. V.; Frolov, О. V.; Shulga, О. А.; Soldatkin, О. P.; Dzyadevych, S. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
В роботі досліджено рН-чутливість, стабільність та дрейф напівпровідникових структур з різною кількістю та типом поверхневого діелектрика та оптимізовано їх параметри для створення рН-чутливих польових транзисторів. Кращі результати були отримані для двошарового діелектрика, що складається з SiO2 і Si3 N4 , який і запропоновано для розробки рН-чутливих польових транзисторів. Кращі характеристики демонстрували перетворювачі, виготовлені в НДІ “Мікроприлад” (Київ, Україна).