ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР CdHgTe/CdZnTe ПІСЛЯ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНОГО ОПРОМІНЕННЯ ІОНАМИ БОРУ - Смірнов, О. Б.; Савкіна, Р. К.; Удовицька, Р. С.; Євменова, Г. З.; Сизов, Ф. Ф. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
Наведено результати дослідження стану поверхні, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур , підданих опроміненню іонами (100 кеВ, доза імплантації 1013 см-2). Показано, що введення в приповерхневу область CdHgTe імплантату призводить до стискання кристалічної гратки та утворення шару з оптичними властивостями, що відрізняються від властивостей матриці. Розраховано профіль розподілу бору в проімплантованій структурі, визначена величина коефіцієнта стискання (3 ·10 - 31 м3) кристалічної гратки твердого розчину CdHgTe, а також максимальне значення величини механічної напруги 4·104 Па в області радіаційного разупорядкування, обумовленого низькоенергетичним опроміненням іонами бору.