ВПЛИВ АЛЬФА-ОПРОМІНЕННЯ НА КРЕМНІЄВІ МОН-ТРАНЗИСТОРИ - Коман, Б. П. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
Робота присвячена дослідженню альфа-радіаційно-індукованих змін характеристик і параметрів кремнієвих МОН-транзисторів з полікремнієвим затвором. Досліджено вплив альфа-опромінення на порогову напругу Uth, крутизну передаточної характеристики S і вихідний опір Ri. Показано, що альфа-опромінення транзисторів супроводжується монотонним зменшенням Uth з часом опромінення. Аналізуються фізичні механізми радіаційного дефектоутворення. Результати спостережуваних змін параметрів інтерпретуються в рамках моделі радіаційно-індукованих зарядів: додатнього в об’ємі підзатворного діелектрика та на поверхневих станах границі розділу Si-SiO2. Обговорюється можлива участь іонів водню у формуванні додатнього вбудованого заряду в SiO2. Аналізуються особливості поведінки густини станів Dit на границі Si-SiO2 з часом опромінення.