ДОСЛIДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОФIЗИЧНИХ ПАРАМЕТРIВ КРЕМНIЄВИХ P-I-N ФОТОДIОДIВ - Perevertaylo, V. L.; Popov, V. M.; Pockanevich, O. P.; Tarasenko, L. I. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Досліджено електрофiзичнi параметри тестових структур на високоомному кремнiї, якi сформованi в процесi виготовлення p-i-n фотодiодiв. З допомогою тестових МДН структур спецiальної конструкцiї визначено практично важливi характеристики систем Si-SiO2 та SiSiO2-Si3N4, якi характеризують якiсть кремнiю та мiжфазової границi роздiлу дiелектрик — напiвпровiдник: швидкiсть поверхневої генерацiї Sg, об’ємний генерацiйний час життя неосновних носiїв заряду у кремнiї τg, а також значення фiксованого заряду Qss та рухомого заряду у дiєлектрику Qi . Встановлено вплив типу дiелектрика на величину Sg та напруги на дiелектрику на швидкiсть генерацiї неосновних носiїв заряду у МДН структурах. Виявлено взаємозв’язок величин рухомого заряду з рівнем зворотніх струмів діодів. Показано високу iнформативнiсть застосованих конструкцiй тестових МДН структур і використаної методології контролю якості технології при розробці та виготовленні p-i-n фотодiодiв.