ВПЛИВ ІНВЕРСІЇ ( ) ТИПУ АБСОЛЮТНОГО МІНІМУМУ В НА ЕФЕКТ ЕКРАНУВАННЯ - Луньов, С. В.; Назарчук, П. Ф.; Панасюк, Л. І.; Бурбан, О. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
Обчислено радіус екранування для та - мінімумів зони провідності кристалів з різною концентрацією домішки. Отримано залежності екрануючого множника від концентрації домішки для відповідних мінімумів. Показано, що інверсія типу абсолютного мінімуму зони провідності, яка обумовлена одновісним деформуванням ( 2,8 ГПа) вздовж кристалографічного напряму [100], змінює як радіус екранування, так і екрануючий множник. Чутливість даних параметрів при переході від недеформованих до сильно деформованих кристалів пояснюється різним значенням ефективної маси густини станів для та - мінімумів.