ВПЛИВ ОДНОВІСНОЇ ПРУЖНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА РУХЛИВІСТЬ НОСІЇВ СТРУМУ В КРИСТАЛАХ n Si ТА n Ge ПРИ НАЯВНОСТІ ГЛИБОКИХ ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ - Luniov, S. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Досліджено вплив одновісної пружної деформації на зміну рухливості носіїв струму в кристалах n Si з глибоким енергетичним рівнем 0,17 c E еВ та n Ge з глибоким енергетичним рівнем 0,2 c E еВ . Показано, що при даній концентрації глибоких центрів в кристалах n Si та n Ge особливості залежностей 0 f (X ) = при різних температурах ті ж, що і у відносно чистих кристалах n Si та n Ge без глибоких рівнів в умовах переважно фононного розсіяння.