РАДІАЦІЙНА МОДИФІКАЦІЯ СПЕКТРІВ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ АРСЕНІДУ ГАЛЛІЯ - Lepikh, Ya. I.; Mokritsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Banzak, O. V.; Gunchenko, Yu. A. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.