ДО ПИТАННЯ ПРО ВИЗНАЧЕННЯ ПОПЕРЕЧНОГО ПЕРЕРІЗУ ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ DLTS - Tretyak, O. V.; Opylat, V. J.; Boiko, Y. V.; Gryaznov, D. B.; Derkach, I. A.; Povarchuk, V. Yu. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
На підставі аналізу способів визначення термічного поперечного перерізу захоплення дефектом носіїв заряду зі спектрів DLTS розкриті можливі причини суттєвих похибок при визначенні даного параметра. Окреслено межі застосовності кожного зі способів за рядом критеріїв — характеристики досліджуваної напівпровідникової структури, термічна залежність поперечного перерізу захоплення, тощо. Сформульовано вимоги до апаратної частини та запропоновано схему DLTS спектрометра, здатного реалізувати один з прямих способів визначення поперечного перерізу захоплення носіїв.