ДОСЛІДЖЕННЯ СМУГ РОСТУ ФОСФІДУ ІНДІЯ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ЕЛЕКТРОХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ - Suchikova, J. A.; Kidalov, V. V.; Sukach, G. A. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
У роботі представлено метод спостереження смуг росту кристалів InP, легованих сіркою, що полягає в електрохімічному травленні зразків. В результаті на поверхні досліджуваних кристалів утворюються концентричні темні кільця шириною приблизно 100 мкм, які є місцями скупчення пор. Пори проростають в тих областях, де концентрація сірки максимальна. Це свідчить на користь вибраного методу для спостереження явища сегрегації в кристалі, які виявляються у вигляді смуг росту.