УЛЬТРАФІОЛЕТОВІ ФОТОДІОДИ: ВПЛИВ РІВНЯ ЛЕГУВАННЯ АЗОТОМ НА ФОТОЧУТЛИВІСТЬ ПЛІВОК ZnO - Ievtushenko, A. I.; Lashkarev, G. V.; Lazorenko, V. I.; Kosyachenko, L. A.; Tkach, V. M.; Shteplyuk, I. I.; Osmanov, T. Sh. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Для виготовлення фотодіодних структур застосовували леговані азотом (з різною концентрацією) плівки ZnO, осаджені на Si підкладки n-типу провідності методом високочастотного магнетронного розпилення з використанням процедури пошарового росту. Методами ренгенофазового аналізу та скануючої електронної мікроскопії досліджено вплив легування азотом на структуру одержаних плівок. Створені на їх основі структури Ni/ZnO:N/Si продемонстрували коефіцієнт випрямлення ~ 100 (при зміщенні 1 В). Досліджено та обговорено спектри фоточутливості структур при різних напругах зміщення. Показано, що фоточутливість структур Ni/ZnO:N/Si в ультрафіолетовій області спектру збільшується від 0,6 до 2,4 мА/Вт зі збільшенням рівня легування азотом оксиду цинку (від 0,47 до 0,87 ваг. %).