ВПЛИВ ВІДПАЛУ НА СТРУКТУРУ ДЕФЕКТІВ GaMnAs І Si:Mn - Bak-Misiuk, J.; Dynowska, E.; Romanowski, P.; Misiuk, A.; Shalimov, A.; Domagalaa, J. Z.; Lusakowska, E.; Sadowski, J.; Caliebe, W.; Szuszkiewicz, W.; Trela, J. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Вплив відпалу на структуру дефектів тонких шарів GaMnAs і на кремній, легований Mn+(Si:Mn) було досліджено методами рентгеноскопії, атомної мікроскопії та мас-спектроскопії вторинних іонів. До і після обробки рівні були повністю деформовані відносно підкладки. Зменшення значення параметра кристалічної гратки GaMnAs ймовірно пов’язане зі зменшенням концентрації заміщень As і міжвузлового Мn і створенням кластерів MnAs. Параметр кристалічної гратки відпаленого GaMnAs з 2%-ним змістом Мn був менше, ніж параметр кристалічної гратки підкладки GaAs. Концентрація Мn після відпалу залишилася незмінною. Дефектна структура Si:Mn залежить від параметрів відпалу.