ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНОГО ВПОРЯДКУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КРИСТАЛІВ - Pavlyk, B. V.; Tsybulyak, B. Z.; Lyshak, M. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Досліджено вплив іонізуючого опромінення на зміни електрофізичних характеристик приповерхневого шару та об’єму кристалів CdS. Встановлено, що під дією Х-променів в сульфіді кадмію одночасно відбувається низка процесів перебудови системи дефектів кристала, ефективність яких залежить від температури, інтенсивності опромінення, величини поглинутої дози. Максимальна ефективність радіаційно-стимульованого впорядкування досягається при D=0,20 Кл/кг. Запропонована фізична модель процесів радіаційно-індукованого впорядкування дефектної структури кристалів CdS.