ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ InI ПІД ТИСКОМ - Franiv, A. V.; Bovgyra, O. V.; Bovgyra, O. V.; Franiv, O. V.; Franiv, O. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей монокристалів InI у широкому діапазоні зміни зовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової 5s2 електронної пари іона In+ у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони із зниженою валентністю. Визначено значення граничного тиску фазового переходу InI у високосиметричний структурний тип CsCl. Встановлено, що перед структурним переходом відбувається перехід напівпровідник-метал. Після структурного переходу сполука залишається надалі квазіодномірним металом.