КОЕФІЦІЄНТ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ДОБРОТНОСТІ КРИСТАЛІВ Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS - Maryanchuk, P. D.; Andrushchak, G. O. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
В даній роботі на основі досліджень електропровідності і термо-е.р.с. проведена оцінка величини коефіцієнта термоелектричної добротності (Z) кристалів Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS. На основі одержаних значень Z можна робити висновки про можливості використання цих матеріалів у термоелектричних пристроях.