ПЕРСПЕКТИВИ СТВОРЕННЯ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИХ ФОТОРЕЗИСТОРІВ НА ОСНОВІ ПЛІВОК ZNO - Ievtushenko, A. I.; Lashkarev, G. V.; Lazorenko, V. I.; Kosyachenko, L. A.; Sklyarchuk, V. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Нелеговані та леговані азотом плівки n-ZnO осаджено на Si та SiNx/Si підкладки методом магнетронного розпилення. Для нанесення омічних In та Al контактів до ZnО застосовані методи термічного вакуумного осадження та стандартної LIFT-OFF літографії. Досліджено вплив кристалічної досконалості нелегованих плівок ZnО та величини міжконтактно ї відстані на фоточутливість та швидкодію фоторезисторів на їх основі. Для фоторезистор ів на основі нелегованих плівок досягнута кратність 24 при швидкодії порядку десяти хвилин. Фоторезистори, створені на основі легованих азотом плівок ZnO, продемонстрували фоточутливість з кратністю 250 при λ = 90 нм та швидкодію зі сталою часу 10 мкс.