ПІДВИЩЕННЯ РУХЛИВОСТІ НОСІЇВ СТРУМУ В ОДНОВІСНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ n −Si ТА n −Si З ІЗОВАЛЕНТНОЮ ДОМІШКОЮ ГЕРМАНІЮ - Fedosov, A. V.; Luniov, S. V.; Fedosov, S. A.; Misyuk, S. Y.; Korovytskyy, A. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Досліджено вплив сильної одновісної пружної деформації на електрофізичні властивості n −Si та n −Si з ізовалентною домішкою германію. Для пружно деформованих кристалів n −Si та n −Si з ізовалентною домішкою германію вздовж кристалографічного напрямку [100] характерною особливістю температурних залежностей lgρ = f (lgT) ) є перех ід від нахилу 1,68 до 1,83, що пояснюється активним вкладом g - переходів в міждолинне розсіяння при T >330 K . При цьому знімаються f − переходи з міждолинного розсіювання і рухливість електронів зростає, що може бути використаним для підвищення рухливості носіїв струму в каналах n-МОН транзисторів.