ВЛАСТИВОСТІ НАДТОНКИХ ПЛІВОК ГЕТЕРОСТРУКТУР p(Pb1-xSnxSe) – n(CdSe) В ДАЛЬНІЙ ІЧ- ОБЛАСТІ СПЕКТРУ - Лепіх, Я. І.; Іванченко, І. О.; Будіянська, Л. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області λ=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно. Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1-xSnxSe зі складом, чутливим в області λ=10 мкм при кімнатній температурі. Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі p-n-переходу p(Pb1-xSnxSe) – n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6…10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області λ=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.