ФОРМУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ МІКРО- ТА НАНОСТРУКТУР ДЛЯ ЕЛЕКТРОННОЇ ПОЛЬОВОЇ ЕМІСІЇ - Стеблова, О. В.; Братусь, О. Л.; Педченко, Ю. М.; Євтух, A. A. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
В даній роботі були сформовані резонансно-тунельні структури на основі нанокомпозитних плівок SiO2(Si), що містять Si нанокристали в діелектричній матриці методами хімічного осадження при низькому тиску (LP CVD — low pressure chemical vapor deposition) та методу іонно-плазмового розпилення (IPS). Кремнієві нанорозмірні структури формувались як на плоскій поверхні, так і на кремнієвих вістрях. Формування кремнієвих наноострівців зі збагачених кремнієм плівок SiOx відбувалось в процесі відпалу при температурах 10000С, 10500С та 11000С. Проведено аналіз структури поверхні вихідної та відпаленої плівок SiOx, отриманих методом IPS, за допомогою атомно-силової мікроскопії (АСМ). Досліджувався вплив відпалу на розміри нанокристалів для зразків з різною концентрацією надлишкового кремнію у вихідній плівці. Виявлений ефект немонотонної електронно-польової емісії (ЕПЕ) з поверхні плівок SiO2(Si) сформованої методом LP CVD.