ВПЛИВ КОМБІНОВАНИХ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ВИПРОМІНЮВАНЬ НА ПАРАМЕТРИ КРЕМНІЄВИХ МДН- ТРАНЗИСТОРІВ - Коман, Б. П. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012)
В роботі досліджено вплив рентгенівського та імпульсного лазерного (λ = 1,06 мкм, τ =10-3 с) випромінювань на параметри кремнієвих МДН-транзисторів з довжинами каналів 1…10 мкм. Отримані результати спостережуваних змін параметрів інтерпретуються в рамках моделі додатнього заряду в об’ємі підзатворного діелектрика SiO2 та дефектно-домішкової природи міжфазної границі Si-SiO2 , потенціальний рельєф якої зазнає структурної трансформації під дією рентгено-лазерної обробки.