ДИНАМІКА АКУСТИЧНОЇ ЕМІСІЇ У ЛОКАЛЬНО-НЕОДНОРІДНО ТЕРМОНАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ - Lyashenko, O. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2009)
В роботі проведено аналіз динаміки акустичної емісії, що супроводжує деградацію і локальні процеси релаксації та дефектоутворення в локально-неоднорідно термонапружених гетероструктурах InGaN/GaN та GaAsP/GaP при покроковому збільшенні прямого постійного струму. Показано, що динаміка АЕ добре узгоджується з основними висловленими припущеннями — АЕ є детермінованим в часі хаотичним релаксаційним процесом, параметри АЕ залежать від величини зміни та швидкості зміни рівня зовнішнього фіксованого навантаження, кількості однотипних джерел АЕ, активованих цим впливом на протязі часу його дії, а також дисперсією деяких параметрів цих джерел АЕ.