ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНИХ КРИСТАЛІВ Sn2 P2 S6 - Tyagur, Yu. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2009)
Досліджені залежності електричного опору ( R ), відносного температурного коефіцієнту електричного опору (α ) від температури для кристалів Sn2 P2 S6. Встановлено, що при зростанні температури залежність RT( ) експоненціально зменшується з різними термічними константами ( ) B . Визначені константи ( ) B та енергія залягання домішкових рівнів в сегнетоелектричній та параелектричній фазах. Встановлено, що коефіцієнт (α) має великі значення в сегнетоелектричній і параелектричній фазах, а також проявляє аномалію в околі точки фазового переходу. Обчислено енергію домішкових рівнів, яка в сегнетофазі є рівною 1, 0.12 EeBfe = , 2, 1.17 EeBfe = , а в парафазі — 3, 0.87 EeBpa = .