ПЕРЕБУДОВА ДЕФЕКТІВ В ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ СТРУКТУРАХ Bi-Si-Al СТИМУЛЬОВАНА ДІЄЮ РАДІАЦІЇ - Pavlyk, B. V.; Hrypa, A. S.; Slobodzyan, D. P.; Lys, R. M.; Didyk, R. I.; Shykoryak, J. A. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
В даній роботі було сформовано поверхнево-бар’єрні структури на базі кристалів кремнію з різними питомими опорами (ρ1 = 24 Ом∙см, ρ2 =10 Ом∙см) та досліджено зміну їх електрофізичних характеристик під дією X-променів. Показано, що в залежності від дефектної структури кремнієвої підкладки, дія радіації приводить до генерації нових дефектів або зміни зарядового стану існуючих і як наслідок — змінюється механізм струмоперенесення в опромінених структурах.