ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ CuInAsSe3 ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ ТА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ - Melnikova, N. V.; Kheifets, O. L.; Babushkin, A. N.; Kurochka, K. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Представлено результати експериментальних досліджень по впливу високих тисків (12–45 ГПа) і низьких температур (10–300 K) на електричні властивості напівпровідника CuInAsSe3. Визначені області температур і тисків, у яких відбуваються істотні зміни в поводженні електричних властивостей сполуки. При атмосферному тиску спостерігається максимум на температурній залежності діелектричної проникності в області 160–200 К, що може бути пов'язане із сегнетоелектричним переходом. Встановлено, що при кімнатнійтемпературі зі збільшенням тиску в інтервалі 34–37 ГПа опір матеріалу різко зменшується і перестає залежати від частоти прикладеної напруги при подальшому збільшенні тиску, тангенс кута втрат швидко зростає після 37 ГПа, що вказує на можливі структурні перетворення та зміну електронної структури. Ці зміни є незворотними. Властивості сполуки дозволяють висловити пропозиції по використанню його як матеріалу для датчиків тиску і температури.