ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ ПТ СТРУКТУР З ШАРОМ КТ В ПІДЗАТВОРНІЙ ОБЛАСТІ - Ільченко, В. В.; Лін, Ш. Д.; Марін, В. В.; Третяк, О. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
В даній статі досліджувалися структури польових транзисторів (ПТ) з шаром квантових точок (КТ), розташованим близько до каналу з високою електронною рухливістю на гетерограниці GaAs/AlGaAs. Було показано, що електричний заряд, що акумулюється в шарі КТ, може суттєво змінювати значення порогової напруги необхідної для відкривання каналу. Через кінетичну природу процесів захоплення та емісії в КТ диференціальна ємність, виміряна між витоком та затвором, має специфічний вигляд з кількома максимумами на С-V кривій в залежності від частоти тестового сигналу. Завдяки впливу накопичення заряду в КТ коефіцієнт передачі для транзистору з шаром КТ в підзатворній області демонстру є ефект динамічної зміни провідності каналу.