СЕЛЕКТИВНЕ ТРАВЛЕННЯ КРИСТАЛІВ p-InP З НАНЕСЕНІМІ НА НИХ ПОДРЯПИНАМИ - Сичікова, Я. О.; Кідалов, В. В.; Сукач, Г. О. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
В роботі представлено методику отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію р-типу, яка полягає в фотоелектрохімічному травленні кристалу. Для визначення залежності утворення пор від дефектів, на досліджувані зразки наносили подряпини, які спеціально виготовлялися з нерівними краями для дослідження руху дислокацій вздовж механ ічних дефектів. При пошкоджені кристалу механічним шляхом відбувається «стікання» дислокацій та дефектів до подряпаних ділянок, що в свою чергу ініціює ріст пор під час травлення.