ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ НА ПРОЦЕСИ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЕННЯ ЕНЕРГІЇ В КРЕМНІЄВИХ ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ - Черненко, В. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Експериментально досліджений вплив приповерхневого ізотипного n+-nпереходу сформованого біля фронтальної поверхні на рекомбінаційні характеристики кремнієвих фоточутливих структур. Показано, що присутність приповерхневого ізотипного переходу в таких структурах забезпечує малу швидкість ефективної поверхневої рекомбінац ії навіть у випадку незапасивованої поверхні. Встановлено, що після стравлення сильнолегованої n+-області приповерхневого ізотипного n+-n-переходу ефективна швидкість поверхневої рекомбінації збільшується внаслідок того, що домінуючими рекомбінаційними механізмами стають рекомбінація через поверхневі рекомбінаційні центри та рекомбінація в області просторового заряду шару виснаження.