ТРАНСФОРМАЦІЯ СТАНІВ НЕСТАЦІОНАРНОЇ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ В УМОВАХ ФОТОРЕФРАКТИВНОГО ГАНН–ЕФЕКТУ - Gorley, P. M.; Horley, P. P.; Chupyra, S. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Для напівпровідника, на який окрім гріючого носії електричного поля діють дві квазі-монохроматичні хвилі в умовах домішкового поглинання, у моделі одномірної польової задачі знайдено систему диференційних рівнянь для коефіцієнтів розкладу концентрації електронів і електричного поля у ряд за тригонометричними функціями. За допомогою числових методів досліджено трансформацію динамічних станів системи і описано її в термінах теорії самоорганізації – розмірності Хаусдорфа та показників Ляпунова. Показано, що в залежності від степені компенсації мілких домішок та інтенсивності світлової хвилі досліджувана система може знаходитись у двох суттєво різних за стійкістю коливних станах.