ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНА РЕНТГЕНОПРОВІДНІСТЬ ОСОБЛИВО ЧИСТИХ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ - Бродин, М. С.; Дегода, В. Я.; Кожушко, Б. В.; Софієнко, А. О. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Проведені експериментальні дослідження температурних залежностей рентгенолюмінесценції, рентгено- і темнової провідності високоомних нелегованих кристалів ZnSe. Встановлено, що темнова провідність зразків при температурах Т > 400 К обумовлена термічною делокалізацією носіїв з глибоких локальних рівнів ЕТ = 0.83 еВ, і величина рентгенопровідності при нагріванні до 350 К монотонно спадає, але при вищих температурах — навіть поступово зростає. Завдяки виявленим особливостям температурної поведінки рентгенопровідності кристалів ZnSe, їх можна застосовувати як детектори рентгенівського та Y-випромінювання, які надійно працюватимуть при температурах навколишнього середовища  100 0C ( високотемпературні детектори).