ФОРМУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ ТЕЛУРИДУ СВИНЦЮ ПРИ ГАРТУВАННІ - Фреїк, Д. М.; Горічок, І. В.; Лисюк, Ю. В.; Межиловська, Л. Й. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Преставлено термодинамічний аналіз процесів дефектоутворення у загартованих монокристалах телуриду свинцю. Методом термодинамічних потенціалів розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів у кристалах від технологічних параметрів двотемпературного відпалу (температури Т та тиску пари халькогену РТе). Визначено тип та концентрацію домінуючих власних точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Показано, що врахування процесів перерозподілу точкових дефектів при гартуванні покращує кореляцію теоретичних результатів з експериментальними даними холлівських вимірювань.