РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОДАТЧИКІВ - Курмашев, Ш. Д.; Викулин, И. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення  від величини потоків електронів, нейтронів і -квантів, а також вплив ефективної концентрац ії типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і  залежить від конструктивнотехнолог ічних параметрів транзисторів.