НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ФОТОПРОВІДНІСТЬ ТА ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНА ПРОВІДНІСТЬ МОНОКРИСТАЛІВ Tl1-xIn1-xSnxSe2 - Кажукаускас, В.; Мирончук, Г. Л.; Гарбачаускас, Р.; Парасюк, О. В.; Савіцкі, С.; Новосад, О. В.; Данильчук, С. П.; Піскач, Л. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2018)
Досліждені спектри фотопровідності в температурному інтервалі Т≈36-200 К та спектри термостимульованих струмів в температурному інтервалі Т≈70-300 К монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2, отриманих методом напрямленої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера. Виявлена індукована фотопровідність та довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Для інтерпретації отриманих результатів запропонована модель двоцентрової рекомбінації. Показано, що роль r-центрів повільної рекомбінації в монокристалах Tl1-xIn1-xSnxSe2 виконують вакансії Tl. На основі досліджень спектрів термостимульованих струмів визначено термічну енергію активації електронів з t-рівнів прилипання.