ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: НАПРУГА НА ЗАТВОРІ, ПОВЕРХНЕВИЙ ПОТЕНЦІАЛ ТА РУХЛИВИЙ ЕЛЕКТРОННИЙ ЗАРЯД У МАСИВНІЙ СТРУКТУРІ MOS ТА В ТОНКІЙ SOI - Кругляк, Ю. О.; Стріха, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2019)
У третій із серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, розглянуто фізику процесів у напівпровідниковій підкладці MOSFET. Ця фізика визначається вигином зон, що залежить від поверхневого потенціалу ψ S , який у свою чергу визначається напругою на затворі VG . Ми одержали достатньо загальну формулу (11), що пов’язує VG з ψ S . В умовах режиму виснаження одержано простіший зв’язок ψ S із VG (30), який ми часто використовуватимемо й надалі. Потім ми обговорили поведінку рухливого електронного заряду Q ∝ψ S і Q V ∝ G : яким чином електронний заряд змінюється з поверхневим потенціалом і з напругою на затворі в умовах до й після порогової напруги. Правильні результати для допорогої області напруг і в режимі сильної інверсії ми одержали, не вдаючись до чисельного розв’язання рівняння Пуассона – Больцмана. Водночас чисельний розв’язок цього рівняння покриває як підпорогову область та область сильної інверсії, так і перехідну область між ними. Ми розглянули поведінку Q ∝ψ S і Q V ∝ G для цілком іншої структури MOS, структури з виключно тонкою кремнієвою підкладкою (Extremely Thin Silicon-On-Insulator/ETSOI), що характерна для теперішньої тенденції мініатюризації транзисторів. Ми пересвідчилися, що основні особливості структури ETSOI подібні до властивостей масивної структури MOS. Одержано залежності Q ∝ψ S і Q V ∝ G для структури ETSOI як нижче, так і вище від порогу напряжений. До залежностей, що охоплюють усю область напруг на затворі, ми повернемося в наших подальших статтях. Одержані результати свідчать, що 1D електростатика прийнятна як для масивних структур MOS, так і для структур ETSOI. У подальших статтях ми покажемо, як 2D електростатика пояснює, чому структура DG ETSOI має переваги для дуже коротких нанотранзисторів.