ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ CdTe-ДІОДІВ В СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ - Махній, В. П.; Березовський, М. М.; Кінзерська, О. В.; Мазур, М. П.; Мазур, Т. М.; Прокопів, В. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2019)
В роботі обговорюються переваги і недоліки найбільш використовуваних на сьогоднішній день напівпровідникових матеріалів різної структурної досконалості (монокристали, полікристалічні і аморфні) для створення сонячних елементів. Особлива увага приділяється вивченню можливостей використання в якості фотоперетворювачів поверхнево-бар’єрних діодів (ПБД) на базі монокристалічного телуриду кадмію. Аналізується ряд технологічних способів модифікації підкладинок n-CdTe, які призводять до суттєвого покращення електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик ПБД. Встановлено, що обробка підкладинок в водній суспензії солей лужних металів викликає зростання висоти потенціального бар’єру ϕ0 і напруги холостого ходу Vo c діодів на їх основі приблизно в 1,8 разів в порівнянні з аналогічними параметрами ПБД на базових підкладинках. Відпал останніх при певних умовах на повітрі призводить до утворення поверхневої наноструктури, в результаті чого спостерігається не тільки збільшення майже в два рази ϕ0 і Vo c , але й суттєве розширення спектру фоточутливості Sω діодів на базі не модифікованих підкладинок. Встановлено, що швидкість поверхневої рекомбінації ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою на два і один порядок менше, ніж в структурах на основі базових підкладинок і оброблених в суспензії солей лужних металів відповідно. Показано, що ефективність фотоперетворення ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою (CdTe:O2 ) досягає 13% при 300 К при умовах освітлення АМ2. Обговорюються варіанти застосування використаних в роботі технологій для створення поверхнево-бар’єрних сонячних елементів на основі плівкового телуриду кадмію.