ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: ТРАНСПОРТНА МОДЕЛЬ ЛАНДАУЕРА – ДАТТА – ЛУНДСТРОМА ТА БАЛІСТИЧНІ MOSFET - Кругляк, Ю. О.; Стріха, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2019)
У п’ятій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, розглянуто транспортну модель Ландауера-Датта-Лундстрома (ЛДЛ), яку надалі використовуємо для побудови теорії MOSFET при низьких і високих напругах на стоці, в квазірівноважних і в далеких від рівноваги умовах. Для достатньо довгих каналів провідності одержані результати збігаються зі звичними традиційними результатами; проте, використовуючи їх, ми також зможемо достовірно побудувати фізику нанотранзисторов, що працюють у балістичному або квазібалістічному режимах. Використано підхід ЛДЛ для розрахунку вихідних характеристик балістичних MOSFET. Для цієї мети застосовується формула Ландауера з обмеженнями, які накладає електростатика MOS.