ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР - Глауберман, М. А.; Лепіх, Я. І. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2020)
Напівпровідникові магніточутливі транзисторні структури (МТС), як показали дослідження, можуть бути основою ефективних сенсорів магнітного поля, а також сенсорами інших фізичних величин. Однак практичне застосування таких сенсорів вимагає для забезпечення високих метрологічних характеристик дослідження впливу дестабілізуючих чинників на самі МТС. В числі основних таких чинників є температура. Вплив її настільки помітний, що залежність параметрів МТС від неї можуть бути використаними для сенсорів інших фізичних величин. Дослідженню впливу температури на характеристики МТС присвячено ряд робіт. Однак вони носять несистемний характер і різняться певними відмінностями результатів і не завжди мають достатнє порівняння з теорією і пояснення природи та механізмів температурного впливу. В даній роботі ставиться задача послідовного і системного вивчення означених питань з метою більш повного знання про вплив температури на характеристики МТС. Наводяться температурні експериментальні і теоретичні залежності коефіцієнтів передачі струму в дрейфових МТС (ДМТС) в магнітному полі, залежність координати ділянки максимальної магніточутливості від температури та залежність магніточутливості ДМТС від температури для фізичних матеріалів. Аналізуються механізми впливу температури на МТС, залежність їх характеристик, зокрема перетворювальних параметрів з позицій можливого використання в сенсорах.