ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДІВ ШОТТКІ ГРАФІТ/ n-Si ВИГОТОВЛЕНИХ ЗА МЕТОДИКОЮ «ОЛІВЕЦЬ-НА-НАПІВПРОВІДНИКУ» - Мар'янчук, Павло Дмитрович; Солован, Михайло Миколайович; Ковалюк, Тарас Тарасович; Мостовий, Андрій Ігорович; Грицюк, Марія Миколаївна (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2020)
Вперше виготовлені фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si шляхом рисування тонких плівок графіту на поверхні монокристалічної солі (NaCl) і перенесення їх на монокристалічні пластини n-Si. Виміряно прямі та зворотні вольт-амперні характеристики діодів Шотткі графіт/n-Si при різних температурах, а також при освітленні білим світлом інтенсивністю Popt=80мВт/см2. Визначено домінуючі механізми струмопереносу через гетероперехід: при прямому зміщенні ВАХ добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної моделі за участі поверхневих станів, а при зворотному зміщенні протікає невеликий струм витоку через шунтуючий опір. Встановлено, що при освітленні білим світлом інтенсивністю Popt= 80 мВт/см2, зворотний струм Ilight зростає в порівнянні з його величиною у темряві Idark більше, ніж на порядок внаслідок розділення фотогенерованих електрон-діркових пар. З вищесказаного можна зробити висновок що виготовлений діод Шотткі можна використовувати як фоточутливий прилад.