ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: ОБ’ЄДНАННЯ МОДЕЛІ ПРОХОДЖЕННЯ ТА МОДЕЛІ ВІРТУАЛЬНОГО ВИТОКУ – МОДЕЛЬ MVS-ПРОХОДЖЕННЯ - Кругляк, Ю. О.; Стріха, М. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2020)
У восьмій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми показали, що модель проходження може бути близько співвіднесено з моделлю віртуального витоку. Простою заміною дифузійної рухливості μ в моделі віртуального витоку на формальну рухливість app μ для лінійного струму одержано коректні результати для всього діапазону від балістичного до дифузійного граничного випадку. Заміною обмеженої розсіянням швидкості насичення sat v на швидкість впорскування inj v одержано коректну величину струму ON I . Порівняння передбачень теорії з експериментально виміряними характеристиками показує, що нанотранзистори на кремнійовій підкладці працюють доволі далеко від балістичного режиму, натомість нанорозмірні III-V FET працюють дуже близько до балістичної межі.