ПРО НЕМОЖЛИВІСТЬ ОДЕРЖАННЯ СТАБІЛЬНОЇ НЕГАТИВНОЇ ЄМНОСТІ В ТРАНЗИСТОРАХ MOSFET З ІЗОЛЯТО- РАМИ НА ОСНОВІ ТОНКИХ ШАРІВ ДІЕЛЕКТРИКА ТА СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКА - Стріха, М. В.; Морозовська, Г. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2022)
Розглянуто кремнійовий МOSFET, у якому ізолятор під затвором сформованоз тонких шарів діелектрика SiO2 та слабкого сегнетоелектрика HfO2. Досліджено можливістьреалізації в такій системі стійкої негативної ємності ізолятора, що відкрило б можливість длязниження підпорогового розкиду до величин, нижчих від порового значення, 60 мВ/дек. длякімнатної температури, та напруги живлення до значень, нижчих від фундаментальної Больцманівської межі, 0,5 В, і тому стало б важливим кроком на шляху до дальшої мініатюризації MOSFET. Показано, що теоретично можливо досягнути перехідної негативної ємності сегнетоелектрика, якщо заряд на пластинах конденсатора збільшується в часі повільніше, аніж поляризація сегнетоелектрика. Але така негативна ємність принципово має перехідний характер.Спроба стабілізувати її в часі в системах тонких шарів діелектрика і сегнетоелектрика потребуєстабільно додатної вільної енергії та ємності всієї системи. А тому ефект негативної ємностіокремо сегнетоелектрика ніяк не виявлятиметься «назовні» (у т. ч. у транзисторних застосуваннях).