ТЕОРЕТИЧНА МОДЕЛЬ ДЛЯ ОПИСУ ЗНИЖЕННЯ РОБОТИ ВИХОДУ НАПІВПРОВІДНИКА/ДІЕЛЕКТРИКА ПІД ВПЛИВОМ ПОВЕРХНЕВОГО ПОДВІЙНОГО ЗАРЯДЖЕНОГО ШАРУ - Стріха, М. В.; Горячко, А. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2022)
У роботі розвинуто просту теоретичну модель, яка пов’язує зменшення електронної спорідненості напівпровідника (чи діелектрика) з такими параметрами, як поверхнева густина заряду, локалізованого на поверхневих станах чи адсорбованих атомах, та об’ємна густина заряду в області просторового заряду, які разом утворюють подвійний заряджений шар на поверхні. Модель дає змогу оцінити перспективність різних матеріалів і покриттів для створення сучасних фотокатодів чи ефективних катодів для польової емісії зі зниженою чи нульовою роботою виходу.