ВПЛИВ АДСОРБОВАНИХ МОНОШАРІВ З ДОВІЛЬНИМ СПІВВІДНОШЕННЯМ КОНЦЕНТРАЦІЇ РІЗНОЙМЕННИХ ЗАРЯДІВ НА ЕЛЕКТРОННУ СПОРІДНЕНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКА - Стріха, М. В.; Антонюк, Д. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2023)
Наявність на поверхні напівпровідника дипольного шару за умови рівності концентрацій різнойменно заряджених адсорбованих атомів (напр., кисню й металу) Ns(-) = Ns(+) може призвести до зниження електронної спорідненості на величину до 3 еВ. У рамках здійсненого в цій роботі аналізу продемонстровано, що асиметрія поверхневих концентрацій кисню і металу може призвести до двох протилежних наслідків: при Ns(-) > Ns(+) зниження спорідненості робиться меншим через вигин зон угору в області просторового заряду напівпровідника, а при Ns(-) < Ns(+) зниження спорідненості стає більшим через вигин зон униз. Такий результат є вельми бажаним з огляду перспективи створення поверхонь з низькою роботою виходу для сучасних пристроїв емісійної електроніки.