ФОТОЧУТЛИВИЙ ПОЛЬОВИЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВІ ПЛІВКИ ВІДНОВЛЕНОГО ОКСИДУ ГРАФЕНУ - Оленич, І. Б.; Монастирський, Л. С. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2023)
Створено фоточутливий графеновий польовий транзистор шляхом нанесення плівки відновленого оксиду графену (rGO) на поверхню шару SiO2 на кремнієвій підкладці, яка слугує одночасно фоточутливим середовищем і затвором польового транзистора. Електричні та фотоелектричні властивості польового транзистора на основі плівки rGO досліджено в режимах постійного та змінного струму. На основі аналізу комутаційних характеристик одержаного польового транзистора виявлено лінійні ділянки залежності струму стоку від напруги затвору і суттєву залежність електронної складової провідності плівки rGO від опромінення білим світлом. Виявлено фотоіндуковане зменшення внутрішнього опору та збільшення ємності провідного каналу графенового польового транзистора у діапазоні 102–105 Гц. Встановлено, що час фотовідклику одержаного польового транзистора на світлові імпульси ІЧ, видимого та УФ випромінювання становить близько 1,5 мс. Отримані результати можуть бути використані для спрощення технології виготовлення фотодетекторів на основі графену.