АНАЛІТИЧНА МОДЕЛЬ ДЛЯ НАПРУГИ ПЕРЕМИКАННЯ І КОЕФІЦІЄНТА ПІДСИЛЕННЯ CMOS ІНВЕРТОРА З НАНОКАНАЛЬНИМИ 2D ТРАНЗИСТОРАМИ - Стріха, М. В.; Гурєєв, М. Д. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2024)
В роботі побудовано аналітичну модель для напруги перемикання і коефіцієнта підсилення CMOS інвертора з наноканальними 2D транзисторами. Одержані вирази дозволяють змоделювати значення цих двох основних параметрів пристрою, що є базою для логічних елементів сучасної нанонелектроніки. Підтверджено можливість створення ефективних інверторів з великим коефіцієнтом підсилення на основі транзисторів з каналами з 2D моношарів дихалькогенідів перехідних металів та з наборів вуглецевих нанотрубок. Показано, що фактором, який обмежує коефіцієнт підсилення, є небажаний у транзисторах ефект зниження канального бар’єру за рахунок стоку (за прямування цього ефекту до нуля коефіцієнт підсилення прямує до нескінченності).